[로이슈 편도욱 기자] SK하이닉스가 HBM 패키지 내부 발열을 개선한 메모리 솔루션 ‘iHBM’ 기술을 공개했다. iHBM은 전류를 전달하지 않으면서 열 전도성이 높은 실리콘 소재의 일체형 냉각 요소(ICE)를 패키지 내부에 배치해 열 집중 구간의 발열을 분산시킨다.

기존 HBM이 코어 다이를 거쳐 외부로 열을 방출하는 간접 방식이었다면, iHBM은 D2D PHY 구간 내부에 열 제어 구조를 직접 배치해 열저항을 기존 대비 30% 이상 낮췄다. 양산에는 기존 검증된 MR-MUF 공정과 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 공정이 적용돼 기존 SiP 환경과 설계 호환성을 유지했다.

SK하이닉스는 iHBM을 차세대 HBM5 등에 적용할 계획이다.

회사 측은 “AI 가속기용 HBM의 적층 단수는 12단에서 16단으로 증가 중이며, 단위 면적당 발열 밀도는 2년간 40% 상승했다”며 “iHBM 적용 시 고온 환경에서의 데이터 전송 오류율은 기존 대비 50% 감소할 것으로 예측된다”고 말했다. 이어 “ICE 소재의 열전도율은 기존 몰딩 소재 대비 5배 높다”고 덧붙였다.

편도욱 로이슈 기자 toy1000@hanmail.net