최근 글로벌 반도체 수급 문제로 IT산업의 제품가격 상승이 심화되는 가운데 DRAM과 NAND메모리의 가격은 정체를 보이고 있는 것으로 나타났다. 한편, 기술 부문에선 Imec과 Aixtron이 기존 SiC에서만 가능했던 1200V 고전압 GaN 반도체 기술 구현에 성공해 관련 장비 업체에 긍정적 영향을 끼칠 것으로 예상된다.
4일 KB증권 이은택 연구원은 ”반도체 부족은 가격과 리드타임에 엄청난 영향을 미치고 있으며, 제품가격 상승에 영향을 끼치고 있다“라며 ”4월 ISM제조업지수가 예상치 못하게 부진했는데, 경기가 나빠서가 아니라 너무 좋아서 공급병목이 생겼기 때문“이라고 분석했다.
지난달 TSMC 리우 회장은 “현재 반도체 품귀는 미중 갈등의 공급망 혼란 우려와 이를 통해 기회를 잡으려는 기업들이 사재기를 하는 상황에서 연출되는 현상”이라고 언급했다. 이은택 연구원은 “최근 수주는 많은데 재고가 없는 기업들이 사재기에 뛰어들며 선주문을 쏟아내는 상황”이라며 “지난해 3월 반도체시장과 같이 고객들이 선주문을 통해 재고를 확보하려 하면서 가격이 급등했다가 재고 확보전이 끝나자 5~8월 반도체 가격이 급등했던 상황이 재연될 가능성도 있다”라고 예측했다.
DRAM과 NAND의 가격이 정체를 보이고 있는 것과 관련 메리츠증권 김선우 연구원은 “DRAM의 경우 일부 지역 연휴로 시장 모멘텀이 정체됐으며, 공급 업체와 구매자 모두 문의 많이 발생하지 않았고 가격 추세는 큰 변화 없이 안정적 유지중이다”라고 설명했다. NAND의 경우 “마찬가지로 일부 지역 연휴로 전체 가격은 유지중인 가운데, 양측은 시장 소극적 태도를 보이고 일부 긴급 주문들도 일단은 관망하는 태도 유지중으로, 이에 거래 가치는 부진한 상황”이라고 진단했다.
한편, 반도체 연구기관 Imec과 장비 업체 Aixtron이 200mm 웨이퍼에서 1200V 어플리케이션에 적합한 GaN 버퍼 레이어 제조 가능성을 입증한 것으로 파악됐다.
NH투자증권 도현우 연구원은 “현재까지 전기차와 같은 1200V 고전압 어플리케이션은 SiC(실리콘 카바이드) 기술로만 가능했지만 화합물 반도체 기술을 사용하면 전력 반도체 크기가 작아지고 처리할 수 있는 전류 값이 높아져 온보드 충전, 전기차 인버터, 태양광 발전 인버터 등에 SiC, GaN 반도체가 사용되기 시작할 것”이라며 “향후 SiC보다 저렴한 GaN 기술로 고성능 화합물 반도체 제조가 활발해질것으로 예상되며, MOCVD 장비는 미국의 Veeco와 독일의 Aixtron 등이 주로 제조하는 만큼 관련 산업에 긍정적 영향이 가능할 것”이라고 전망했다.
심준보 로이슈(lawissue) 기자 sjb@rawissue.co.kr
