SK하이닉스가 지난 23,24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 제4회 혁신특허포상 시상식을 가졌다. 왼쪽부터 SK하이닉스 특허담당 민경현 부사장, DRAM개발담당 차선용 부사장, DRAM개발 이강설 TL, 김용미 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장. 사진=SK하이닉스
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SK하이닉스에 따르면 시상식은 SK하이닉스 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 23, 24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.
이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램개발 이강설, 김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 수상했다.
SK하이닉스는 이외에도 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만원을 수여했다.
SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.
심준보 로이슈(lawissue) 기자 sjb@rawissue.co.kr
